FMUSER origjinal i ri MRFE6VP5600H RF Transistor i rrymës MOSFET Transistor Për 600w FM Transmetues-RF Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Transmetues Një-Stop

FMUSER MRFE6VP5600H Re Transistor Fuqia Fuqia Transistori Fuqia MOSFET për 600w Transmetues FM Përmbledhës: Këto pajisje me rezistencë të lartë, MRFE6VP5600HR6 dhe MRFE6VP5600HSR6, janë krijuar për t'u përdorur në industri të lartë VSWR (duke përfshirë eksperimentuesit lazer dhe plazma) aplikacione mobile për radio / tokë. Ato janë dizajne të pashoqe hyrëse dhe dalëse që lejojnë përdorimin e gamës së gjerë të frekuencave, midis 1.8 dhe 600 MHz. Karakteristikat: * Input dhe Output i pakrahasueshëm që lejon përdorimin e gamës së gjerë të frekuencës. * Pajisja mund të përdoret me një përfundim të vetëm ose në një konfigurim të tërheqjes. * Kualifikuar deri në një maksimum prej 50 VDD Operation. * Karakteri

hollësi

Previous:FMUSER origjinal i ri SD2931-11 RF Transistor i Fuqisë së Fitimit të Fuqisë së Lartë 20V MOSFET Transistor

Next:FMUSER Origjinal i ri SD2942 N-Channel 350W Prodhimi RF Transistor i Energjisë RF Transistor RF MOSFET Transistorë RF Transistor

Çmimi (USD)	Qty (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Metoda e transportit	Pagesa
265	1	35	300	DHL
				DHL

FMUSER origjinal i ri MRFE6VP5600H RF Transistor i energjisë MOSFET Transistor për 600w FM Transmetues

Përmbledhje:

Këto pajisje me thyerje të lartë, MRFE6VP5600HR6 dhe MRFE6VP5600HSR6, janë krijuar për t’u përdorur në aplikacione të larta industriale VSWR (përfshirë eksituesit me lazer dhe plazma), transmetim (analoge dhe dixhitale), hapësirë ajrore dhe radio / tokë. Ato janë modele të pakrahasueshme hyrëse dhe dalëse që lejojnë përdorim të gjerë të frekuencës, midis 1.8 dhe 600 MHz.

Karakteristika:
* Hyrja dhe prodhimi i pakrahasueshëm që lejon përdorimin e gamës së gjerë të frekuencave.
* Pajisja mund të përdoret me një përfundim të vetëm ose në një konfigurim të tërhequr.
* Kualifikuar deri në një Maximum prej 50 VDD Operacioni.
* Karakterizohet nga 30 V në 50 V për Gama e Zgjeruar e Energjisë.
* I përshtatshëm për aplikim linear me njëanshmëri të përshtatshme.
* Mbrojtja e integruar ESD me një gamë më të madhe tensioni të burimit negativ të tensionit për operacionin e përmirësuar të klasës C.
* Karakterizohet me Parametrat ekuivalentë të Impedencës me Sinjal të Madh.
* RoHS i pajtueshëm.
* Në Tape dhe Reel. R6 Suffix = Njësitë 150, 56 mm Gjerësia e kasetës, 13 inch Reel.
* Këto produkte janë të përfshira në programin e jetëgjatësisë së produkteve tona me furnizim të siguruar për një minimum prej 15 vitesh pas nisjes.

Parametrika kryesore:

Frekuenca (Min) (MHz)	1.8
Frekuenca (Max) (MHz)	600
Tensioni i furnizimit (Tipi) (V)	50
P1dB (Tipi) (dBm)	57.8
P1dB (Lloji) (W)	600
Fuqia e Daljes (Tipi) (W) @ Niveli i intermodulimit në sinjalin e provës	600.0 @ CW
Sinjali i provës	1-TONA
Fitimi i energjisë (Tipi) (dB) @ f (MHz)	24.6 @ 230
Efikasiteti (Lloji) (%)	75.2
Rezistenca termike (Spec) (℃ / W)	0.12
Klasë	AB
Matching	i pashoq
Vdes teknologji	LDMOS

Tabela e Performancës RF:
230 MHz i ngushtë
Performanca tipike: VDD = 50 volt, IDQ = 100 mA

Lloji i sinjalit	Pout (W)	f (MHz)	GPS (dB)	ηD (%)	IRL (dB)
Pulsi (100 μsec, Cikli i Detyrimeve 20%)	600 maja	230	25.0	74.6	-18
CW	600 mesatare	230	24.6	75.2	-17

Paketa Përfshijnë:

1*MRFE6VP5600H RF Transistor i energjisë

Çmimi (USD)	Qty (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Metoda e transportit	Pagesa
265	1	35	300	DHL
				DHL

Previous:FMUSER origjinal i ri SD2931-11 RF Transistor i Fuqisë së Fitimit të Fuqisë së Lartë 20V MOSFET Transistor

Next:FMUSER Origjinal i ri SD2942 N-Channel 350W Prodhimi RF Transistor i Energjisë RF Transistor RF MOSFET Transistorë RF Transistor

Lini një mesazh

Lista mesazh

Comments Loading ...